Page top

G3VM-□CR□ / □FR□

MOS FET继电器 DIP8针 高容量&低导通电阻型

G3VM-□CR□ / □FR□

以DIP8针封装,实现高级别的高容量化MOS FET继电器

  • 样本 / 手册・说明书 /CAD /软件
  • 样本

中文

※若样本的PDF文件较大,建议右击后选择"保存"。

样本名称 样本编号
[容量]
信息更新
G3VM-□CR□/□FR□ 产品规格书 K285-CN1-05
[1943KB]
2023年1月13日
20230113
G3VM-□CR□/□FR□ 产品规格书